将对外部控制信号／ＲＡＳ解码以产生内部控制信号ＲＡＬ的控制信号发生器２８分成同步电路４０和时序调整电路４２两部分。同步电路４０包括响应于彼此互补的内部时钟信号Ｐ１、Ｐ２的锁存电路４４、５４、６４、６８，与内部时钟信号Ｐ１、Ｐ２同步地产生表示工作模式的状态转换信号ＲＡＳＰ１、ＲＥＡＤＰ１、ＷＲＩＴＥＰ１。时序调整电路４２以这些状态转换信号的上升或下降边缘为基准来调整内部控制信号的时序。因此，该控制信号发生器的设计是容易的。
  [WX7922-0124-0004] ROM数据确认用电路
[摘要] 本发明要解决从ＲＯＭ一次读出的数据的尺寸小、ＲＯＭ内的数据的测试时间长的课题。本发明的ＲＯＭ数据确认用电路在ＣＰＵ３放弃地址总线５及数据总线６的使用权的情况下，ＤＭＡＣ２直接读出被写入ＲＯＭ１内的数据，分割成多个分割数据，将各分割数据输出给由ＤＭＡＣ２生成的地址所指定的多个输出端口４。
  [WX7922-0125-0005] 数据存储器、数据处理系统和方法
[摘要] 当将数据读自或写至闪烁存储器时，在闪烁存储器的区段中生成一个表，用于标明一起组成闪烁存储器的存储区的物理块的物理地址与写入物理块的逻辑块的逻辑地址之间的对应关系。
  [WX7922-0025-0006] 动态随机存取存储器单元装置及其制造方法
[摘要] ＤＲＡＭ单元装置中的每个存储单元包含三个晶体管，在这些晶体管中至少有一个为垂直晶体管结构。这些晶体管可形成在第一沟槽和第二沟槽的侧壁上，其中，写字线沿第一沟槽的第一侧壁伸展，读字线沿第二沟槽的第一侧壁伸展并且位线（Ｂ）在字线的上方并垂直于该字线伸展，并且第三个第一源／漏区（３Ｓ／Ｄ１）和第一个第二源／漏区（１Ｓ／Ｄ２）以及第三个第二源／漏区（３Ｓ／Ｄ２）和第二个第二源／漏区（２Ｓ／Ｄ２）重叠。
  [WX7922-0059-0007] 规定时钟信号限制条件的高速存储器的检测方法
[摘要] 本发明提供了对移位和选通信号的限制条件，将选通信号传输到比较器的传输延迟时间，定义为静区时间。当选通信号处于当前检测周期之内时，读出周期的移位信号必须等于或小于下一个写入周期的ＷＥ／的开始点，写入周期的移位信号必须等于或早于下一个读出周期的ＯＥ／的开始点。当该选通信号处于检测周期之外时，最大移位时钟必须符合‘下一个周期－静区’的条件，最小移位时钟必须符合‘检测周期＋移位时钟≥选通信号＋静区’的条件。
  [WX7922-0110-0008] 带有位线、字线和板线的集成存储器及其工作方法
[摘要] 一种带有存储单元（ＭＣ）的集成存储器，该存储单元（ＭＣ）排列在位线（ＢＬi）、字线（ＷＬk）及板线（ＰＬi）的交叉点上。在第一种工作方式下，板线（ＰＬi）在写访问期间保持一个恒定的板电位（ＶＰＬ）。在第二种工作方式下，在至少一根板线（ＰＬi）接到一个与板电位（ＶＰＬ）不同的确定电位（ＶＦ）期间，位线（ＷＬi）保持为板电位（ＶＰＬ）。
  [WX7922-0086-0009] 能选择执行存储体的自刷新操作的动态随机存取存储器
[摘要] 一种能够选择性地仅针对多个存储体的一部分执行自刷新操作的动态随机存取存储器（ＤＲＡＭ），包括多个用于选择存储体存储单元字行的行译码器、用于产生在自刷新模式期间连续变化的内部地址的地址发生器、刷新存储体指定电路和存储体选择译码器。所述自刷新操作仅仅针对所选择的存储体或其中已经存储了数据的存储体执行，从而使功率损耗最小。
  [WX7922-0166-0010] 动态随机存取存储器中减少光学近距效应的位线图案
[摘要] 一种在半导体存储器制作工艺中减少光学近距效应的位线光掩模图案。此位线光掩模图案包括：多条位线，在位线上具有多个间隔相等的接触垫。这些位线彼此平行，形成栏状阵列，而且每间隔一条位线的两条位线上的接触垫彼此排列对齐。位线上接触垫具有矩形外观，但在接触垫矩形外观的四个直角转角，分别移除一较小的矩形部分，此外在接触垫平行于位线的两个侧边，也分别移除一较小的矩形部分。
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