不改变间歇时间特性来降低刷新时的功耗。内部行地址信号(刷新地址信号)由刷新动作计数器17产生，并输入至行译码器12。在通常刷新动作的情况下，由于刷新地址计数器17根据触发信号按照顺序使内部行地址信号增1，故所有的存储单元的数据被刷新。在本发明的低消耗电流刷新动作的情况下，由于构成内部地址信号的多个位之内的至少1位的值被固定，故刷新动作得以仅仅对于那些预先确定的刷新区域内的存储单元进行。
  [WX7921-0129-0004] 具有存储单元和基准单元的集成存储器以及这种存储器的运行方法
[摘要] 存储器具有等同构造的存储单元(MC)和基准单元(RC)。将基准信息写入基准单元(RC)中，办法是将基准单元(RC)经第一开关元件(S1)从读出放大器(SAi)脱开，并且将位线(BLi，bBLi)的与基准单元(RC)连接的部分，经第二开关元件(S2)与输送基准信息的一个电位线(P1)电气地连接。
  [WX7921-0016-0005] 集成电路半导体器件及其内建存储器自修复电路和方法
[摘要] 一种包括内建自修复(BISR)电路的集成电路半导体器件。BISR电路具有用于保存嵌入式存储器故障单元信息的多个行填充项目和多个列填充项目。尺寸对应于存储器行和列冗余数目的行／列填充项目包括：故障单元行／列地址、相同行／列地址上出现的故障单元数目、保存有相对列／行地址的相对项目的位置。通过选择行／列填充项目并删除在其相对填充项目中保存的故障单元数目，BISR电路可以有效地根据剩余的修复信息来执行故障单元的自修复。
  [WX7921-0140-0006] 无损读出磁阻随机存取存储器的存储单元的方法和装置
[摘要] 本发明涉及用于无损自规一化读出MRAM存储器的存储单元的一种方法和一种装置。在此用存储单元的与存储器内容无关的电阻值将读出信号规一化。
  [WX7921-0038-0007] 半导体存储卡和数据读取装置
[摘要] 一种半导体存储器卡包括控制IC(302)，闪存(303)，和ROM(304)。ROM(304)保存如对每个半导体存储器卡是唯一的介质ID的信息。闪存(303)包括一个验证存储器(332)和一个非验证存储器(331)。验证存储器只能由已被确认验证的外部设备访问。非验证存储器331能够由被确认或未被确认的外部设备访问。控制IC(302)包括控制单元(325)和(326)，验证单元(321)等。控制单元(325)和(326)分别控制对验证存储器(332)和非验证存储器(331)的访问。验证单元(321)与外部设备执行相互验证。
  [WX7921-0190-0008] 用飞秒脉冲激光在石英基玻璃中直接刻写光学元件
[摘要] 本发明涉及在块状玻璃基板中刻写光导结构的方法。块状玻璃基板最糜猛嘶鸬阈∮谠?380°K的软石英基材料制作。脉冲激光束在基板内聚焦，焦点相对于基板沿扫描路径以某一扫描速度平移，造成该材料沿扫描路径的折射率增大，激光沿扫描路径基本上不对该材料造成物理损伤。各种光学元件都可用这种方法制作。
  [WX7921-0044-0009] 具有比特导线参考电压的集成存储器和产生该电压的方法
[摘要] 在有差分写/读放大器(SA)的特别是铁电半导体存储器上，该放大器经传输晶体管(T)与由比特导线(BLi)和相应的参考比特导线(/BLi)组成的比特导线对相连，用于在存储电容器(MC)中读出和写入数据，为了提高比特导线参考电压精度安排主参考比特导线(/BLO)经电荷开关元件(TL)与参考电压(VREF)相连，为了在参考比特导线之间电荷平衡，至少一个其他参考比特导线(/BLi)经平衡开关元件(TA)与主参考比特导线相连。
  [WX7921-0060-0010] 控制部件的温度的方法和设备
[摘要] 当部件(诸如存储器装置)呈现超温条件(例如，超过第一门限值)时，把与部件相关的数据传输速率减小，以便降低其工作温度。在一个实施例中，这是通过根据装置的温度来改变把数据分组发送到存储器装置和从存储器装置发送数据分组的等待时间而达到的。以这样的方式控制温度，允许在大的温度范围内有效地使用部件。
  [WX7921-0071-0011] 集成存储器
  [WX7921-0036-0012] 用于生成具有三种不同电位的输出信号的解码器单元
  [WX7921-0181-0013] 磁随机存取存储器
  [WX7921-0089-0014] 一种数据读/写方法、一种解交错方法、一种数据处理方法、一种存储器和一种存...
  [WX7921-0213-0015] 内容可寻址存储器中多重匹配检测的电路和方法
  [WX7921-0147-0016] 容易控制数据写入电流的薄膜磁性体存储器

  [WX7921-0128-0017] 半导体存储器件及采用其的存储模块和系统
  [WX7921-0084-0018] 磁致电阻元件及其在存储单元装置中作为存储元件的应用
  [WX7921-0167-0019] 具有位线泄漏控制的双阈值电压SRAM单元
  [WX7921-0126-0020] 磁致电阻存储器及其读出方法
  [WX7921-0091-0021] 磁随机存取存储器大阵列的写入电路
  [WX7921-0148-0022] 多格式个人数字音频播放机
  [WX7921-0189-0023] 移位寄存器
  [WX7921-0116-0024] 半导体器件
  [WX7921-0114-0025] 存储矩阵和存储设备的字线的电子驱动电路
  [WX7921-0063-0026] 用于测试一个存储器阵列的方法和带有一个故障响应信号通知模式的可测试的基于...
  [WX7921-0009-0027] 有测试模式判断电路的半导体存储器
  [WX7921-0119-0028] 用于将逻辑集成电路的逻辑功能测试数据映射为物理表述的集成电路测试软件系统
  [WX7921-0211-0029] 表面尺寸减小的调出存储器
  [WX7921-0050-0030] 具有板导线段的集成存储器
  [WX7921-0107-0031] 存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器
  [WX7921-0031-0032] 半导体存储器卡、播放装置、记录装置、播放方法、记录方法、和计算机可读记录...
  [WX7921-0103-0033] 存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器及其工作方法
  [WX7921-0047-0034] 非易失性存储器中具有分离的偏压线的字线驱动器和方法
  [WX7921-0065-0035] 半导体存储装置
  [WX7921-0171-0036] 半导体存储器及其存取方法

  [WX7921-0122-0037] 可编程微电子设备及其形成与编程方法
  [WX7921-0109-0038] 半导体存储装置
  [WX7921-0083-0039] 将系统基本输入输出系统只读存储器升级的方法
  [WX7921-0162-0040] 具有多个低功耗模式的半导体存储器件
  [WX7921-0151-0041] 以多相时序信号控制移位寄存器的方法
  [WX7921-0026-0042] 电子式的测试存储装置
  [WX7921-0118-0043] 一种多功能半导体存储装置
  [WX7921-0005-0044] 多媒体插放器
  [WX7921-0029-0045] 半导体存储装置的数据读出及数据写入方法和驱动方法
  [WX7921-0014-0046] 有铁电存储效应存储单元的集成半导体存储器
  [WX7921-0064-0047] 线路中的存储器阵列比特单元阈值电压分布式测量
  [WX7921-0077-0048] 具有写使能位的微控制器
  [WX7921-0139-0049] 半导体集成电路装置
  [WX7921-0011-0050] 备有高速信息包数据输入的半导体存储器
  [WX7921-0093-0051] 集成半导体电路内连接线上补偿不同电压的电路装置
  [WX7921-0134-0052] 可容忍短路的电阻交叉点阵列
  [WX7921-0174-0053] 数据再生装置
  [WX7921-0153-0054] 具备高集成化的存储器阵列的薄膜磁性体存储器
  [WX7921-0055-0055] 半导体装置
  [WX7921-0123-0056] 半导体存储设备

  [WX7921-0198-0057] 用于减少输入测试模式的输入周期数的半导体存储器
  [WX7921-0067-0058] 一个具有零静态功率的存储器解码器
  [WX7921-0149-0059] 存储单元装置及其制造方法
  [WX7921-0124-0060] 半导体集成电路器件
  [WX7921-0078-0061] 用于存储数据信号的编码方式
  [WX7921-0207-0062] 一种带有高效信息交换电路的半导体设备
  [WX7921-0030-0063] 由多个电阻性铁电存储单元构成的存储装置
  [WX7921-0034-0064] 提供一种嵌入式闪速EEPROM技术的方法和装置
  [WX7921-0025-0065] 电可擦除非易失性存储器
  [WX7921-0049-0066] 磁性随机存取存储器
  [WX7921-0200-0067] 电气/电子电路设备
  [WX7921-0175-0068] 用于位线软编程(BLISP)的方法与集成电路
  [WX7921-0201-0069] 利用字组电压帮助双MONOS单元写入与抹除程式
  [WX7921-0110-0070] 存储器控制技术
  [WX7921-0166-0071] 自动感应之提示、警示留言机
  [WX7921-0164-0072] 可扩充存储器的集成电路装置
  [WX7921-0013-0073] 在快闪存储器中同时存放程序代码及数据资料的方法
  [WX7921-0028-0074] 存储单元阵列及其制法
  [WX7921-0043-0075] 磁－电阻性存储器阵列的自测试
  [WX7921-0004-0076] 光学数据存储

  [WX7921-0108-0077] 磁阻随机存取存储装置
  [WX7921-0176-0078] 用于检测存储器的测试装置
  [WX7921-0143-0079] MRAM装置
  [WX7921-0079-0080] 逻辑电路
  [WX7921-0001-0081] 输出到反射时钟跟踪电路的周期独立数据
  [WX7921-0015-0082] 具有串联存储器单元的铁电写/读存储器(CFRAM)
  [WX7921-0098-0083] 具有减小的信号过耦合的任意选择存取的半导体存储器
  [WX7921-0212-0084] 利用电阻值的变化来存储数据的数据读出容限大的存储器
  [WX7921-0021-0085] 记录介质、记录设备和记录/再现系统
资[WX7921-0080-0086] 差动读出放大器电路和使用该电路的动态逻辑电路
料[WX7921-0121-0087] 内建高速汇流排端接器的高容量记忆体模组
来[WX7921-0203-0088] 具有在行中连接不同阳极线的存储单元的铁电存储器件
源[WX7921-0052-0089] 用于运行集成存储器的方法
：[WX7921-0069-0090] 采用零功率空闲模式的读出放大器
  [WX7921-0008-0091] 具有双晶体管/双电容型存储单元的集成存储器
实[WX7921-0127-0092] 磁致电阻存储器模块装置
用[WX7921-0208-0093] 用于标记存储设备内容的装置和方法
技[WX7921-0202-0094] 具有多端口超高速缓存陈列的集成电路存储器设备及其操作方法
术[WX7921-0106-0095] 存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器
文[WX7921-0037-0096] FeRAM装置

献[WX7921-0102-0097] 补偿寄生电流损耗的方法和装置
网[WX7921-0051-0098] 读出和储存存储单元中铁电晶体管状态的方法和存储矩阵
  [WX7921-0068-0099] 电流传感放大器
W [WX7921-0172-0100] 含有隐刷新的动态随机存取存储器内容可寻址存储器单元
W [WX7921-0070-0101] 用于电可编程存储单元器件的整体集成选择器
W [WX7921-0113-0102] 一种串行存储器
. [WX7921-0090-0103] 线性采样开关
S [WX7921-0163-0104] 内容可寻址存储器、用于该器件的匹配检测电路及数字系统
Y [WX7921-0154-0105] 包含显现强磁性隧道效应的存储元件的磁性存储装置
J [WX7921-0032-0106] 半导体存储器卡、播放装置、记录装置、播放方法、记录方法、和计算机可读存储...
S [WX7921-0125-0107] 磁阻随机存取存储器的写/读结构
W [WX7921-0003-0108] 峰值编程电流降低装置和方法
X [WX7921-0186-0109] 非易失存储器高速读出用基准单元
. [WX7921-0173-0110] 用远端熔丝盒的压缩数据初始化集成电路的方法和装置
C [WX7921-0007-0111] 铁电存储器单元自校准装置
O [WX7921-0081-0112] 低功率线性反馈移位寄存器
M [WX7921-0141-0113] 闪速存储器中驱动再映射的方法及其闪速存储器体系结构
  [WX7921-0017-0114] 由若干阻性铁电存储单元组成的存储装置
联[WX7921-0178-0115] 可缩短测试时间的半导体存储装置
系[WX7921-0206-0116] 降低单边静态随机存取存储器功率消耗的装置与方法

电[WX7921-0097-0117] 半导体集成电路、半导体集成电路的存储器修复方法
话[WX7921-0076-0118] 用于串行存取存储器的方法和设备
：[WX7921-0192-0119] 磁存储装置与磁基片
0 [WX7921-0196-0120] 以软编程来紧缩VT分布的斜坡栅技术
7 [WX7921-0131-0121] 带有嵌入的快闪和EEPROM存储器的器件
5 [WX7921-0197-0122] 可与被安装的多个存储电路的容量对应地进行冗余置换的自解析的半导体集成电路...
5 [WX7921-0019-0123] 具有置换程序电路的半导体存储装置
| [WX7921-0053-0124] 存储器刷新速率的测试方法
2 [WX7921-0002-0125] 堆叠式存储器模组
8 [WX7921-0027-0126] 具有带磁致电阻存储效应的存储器单元的集成存储器
5 [WX7921-0062-0127] 存储系统的冗余格式地址译码器
2 [WX7921-0072-0128] 集成电路测试装置
6 [WX7921-0059-0129] 电阻性交点存储器单元阵列的等电位读出法
1 [WX7921-0086-0130] MRAM存储单元
5 [WX7921-0169-0131] 具有可选择的时钟端接的同步存储器模块与存储器系统
3 [WX7921-0191-0132] 可控制读出放大器工作定时的半导体存储器
  [WX7921-0020-0133] 用于处理数据的装置和方法
  [WX7921-0144-0134] 磁致电阻随机存储装置
  [WX7921-0185-0135] 为优化测试技术和冗余技术而形成的半导体存储器件
  [WX7921-0183-0136] 磁随机存取存储器

  [WX7921-0046-0137] 改进的存储器单元编程方法
  [WX7921-0061-0138] 用于生成参考电压来读出铁电存储器的电路装置
  [WX7921-0082-0139] 半导体存储器件
  [WX7921-0041-0140] 具有再生逻辑电路的存储装置及再生该装置存储内容的方法
  [WX7921-0142-0141] 修正有缺陷的隧道结的方法
  [WX7921-0193-0142] 具交织读出和编程能力的改进集成电路存储器及工作方法
  [WX7921-0161-0143] 磁阻存储器装置中避免不希望编程的方法
  [WX7921-0105-0144] 有磁力地稳定的磁阻存储元件
  [WX7921-0039-0145] 包括差分检测放大器的MRAM设备
  [WX7921-0048-0146] 读出放大器
  [WX7921-0133-0147] 具有可写存储单元的集成存储器的工作方法和相应的集成存储器
  [WX7921-0035-0148] 具有内部刷新的快擦写存储器阵列
  [WX7921-0057-0149] 半导体存储器卡、播放装置、记录装置、播放方法、记录方法、和计算机可读存储...
  [WX7921-0112-0150] 半导体集成电路、具有该半导体集成电路的墨盒以及装载该墨盒的喷墨记录装置
  [WX7921-0099-0151] 用于提高总线效率的半导体存储器设备及存储器系统
  [WX7921-0022-0152] 闪速存储器的代码可寻址存储单元
  [WX7921-0092-0153] 动态随机存取内存的缺陷修护及状态显示的方法
  [WX7921-0179-0154] 数字音频播放装置控制下在用户接口装置屏幕显示信息的系统和方法
  [WX7921-0180-0155] 一种闪存芯片的读写方法
  [WX7921-0094-0156] 具有零写入恢复时间和无最大周期时间的刷新型存储器

  [WX7921-0130-0157] 电子电路内装自测试的装置和方法
  [WX7921-0160-0158] 芯片盘
  [WX7921-0075-0159] 具有集成的半导体器件的MRAM
  [WX7921-0152-0160] 有呼出功能的存储器
  [WX7921-0073-0161] 在预定记录介质上记录数据的装置和方法
  [WX7921-0159-0162] 闪存中存储块的分区及读写信息标识的方法
  [WX7921-0023-0163] 铁电存储器装置
  [WX7921-0137-0164] 具有数据掩蔽引脚的半导体存储装置及包括该装置的存储系统
  [WX7921-0150-0165] 具有多级管线结构的高速同步半导体存储器及其操作方法
  [WX7921-0188-0166] 磁随机存取存储装置的热辅助切换
  [WX7921-0168-0167] 半导体存储器芯片组件
  [WX7921-0033-0168] 具有改善的抗干扰性的磁致电阻存储器
  [WX7921-0177-0169] 基于动态随机存取存储器核心的多端口存储器
  [WX7921-0058-0170] 测试存储器的方法
  [WX7921-0195-0171] 在快擦写EEPROM中编程及过擦除更正模式中弱化位线漏电流的电路装置
  [WX7921-0040-0172] 具有存储单元和参考单元的集成式存储器
  [WX7921-0074-0173] 基于内容提供源的记录介质编辑装置
  [WX7921-0045-0174] 可在线编程自动控制用全方位计算机类集成电路
  [WX7921-0101-0175] 磁随机存取存储器件的参考信号的产生
  [WX7921-0156-0176] 半导体存储卡、把数据记录在半导体存储卡上的装置和重放半导体存储卡的数据的...

  [WX7921-0210-0177] 提高可靠性的存储单元、非易失性存储装置及其控制方法
  [WX7921-0042-0178] 随机存储器的自动检测方法及其检测电路
  [WX7921-0056-0179] 半导体存储器元件
  [WX7921-0100-0180] 磁阻存储器用电流驱动装置
  [WX7921-0182-0181] 备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置
  [WX7921-0155-0182] 存储器自我测试的方法
  [WX7921-0088-0183] 自刷新片载电压发生器
  [WX7921-0095-0184] 共享控制和地址总线的双通道存储器系统及存储器模块
  [WX7921-0204-0185] 电子电路的连接垫片装置
  [WX7921-0012-0186] 存储器装置
  [WX7921-0117-0187] 存储器
  [WX7921-0136-0188] 用于读取电阻交点阵列的存储器单元的方法和装置
  [WX7921-0111-0189] 改进的字线升压电路
  [WX7921-0209-0190] 多通道存储管理系统
  [WX7921-0187-0191] 基于不连续性的存储器单元读出
  [WX7921-0184-0192] 一种为闪存删除提供高外部电压的新方法
  [WX7921-0170-0193] 动态随机存取存储器结构及操作方法
  [WX7921-0205-0194] 用来在浮置栅存储器装置中产生隧道电流的调节电压供给电路
  [WX7921-0135-0195] 在磁阻存储器中加速老化的电路装置和方法
  [WX7921-0146-0196] 对磁电阻存储器中单元电阻估值的装置

  [WX7921-0194-0197] 半导体数据存储电路装置及其检查方法以及替换该装置中有缺陷单元的方法
  [WX7921-0066-0198] 终端装置和记录方法
  [WX7921-0138-0199] 一次写入薄膜存储器
  [WX7921-0132-0200] 具有含有一个铁电存储器晶体管的存储单元的集成存储器
  [WX7921-0010-0201] 采用可编程延迟来控制地址缓冲器的存储器
  [WX7921-0157-0202] 使用存储器的方法、两维数据存取存储器以及操作处理设备
  [WX7921-0165-0203] 具有地址扰频的存储器阵列
  [WX7921-0115-0204] MRAM装置
  [WX7921-0104-0205] 在磁式随机存取存储器内阻止电迁移的方法
  [WX7921-0054-0206] 具有差分读出放大器的集成存储器
  [WX7921-0145-0207] 高速且稳定地进行数据读出工作的薄膜磁性体存储器
  [WX7921-0096-0208] 铁电存储装置的操作方法
  [WX7921-0085-0209] 多位磁存储元件
  [WX7921-0024-0210] 电阻性的铁电存储单元
  [WX7921-0087-0211] 存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器
  [WX7921-0018-0212] 具有铁电电容器的铁电存储器件
  [WX7921-0120-0213] 能有效克服噪声的MRAM
  [WX7921-0214-0214] 具分时充电架构的承受机处理内存